eng
Business People
Деловые люди
A. A. Nefyodov
Domestic Manufacturer of Lasers and Optomechanics – LASSARD Company DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.90.93
Domestic Manufacturer of Lasers and Optomechanics – LASSARD Company DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.90.93
А. А. Нефёдов
Отечественный производитель лазеров и оптомеханики –компания «ЛАССАРД» DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.90.93
В 2023 году компания «ЛАССАРД» отмечает 8‑летие.
На выставке «Фотоника‑2023» компания представит внушительный ассортимент своей продукции. Об этих изделиях, о новых результатах компании и планах ее развития на ближайшие годы рассказывает Коммерческий директор компании «ЛАССАРД» Андрей Александрович Нефёдов.
Отечественный производитель лазеров и оптомеханики –компания «ЛАССАРД» DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.90.93
В 2023 году компания «ЛАССАРД» отмечает 8‑летие.
На выставке «Фотоника‑2023» компания представит внушительный ассортимент своей продукции. Об этих изделиях, о новых результатах компании и планах ее развития на ближайшие годы рассказывает Коммерческий директор компании «ЛАССАРД» Андрей Александрович Нефёдов.
Technologies and Technology Equipment
Tехнологии и технологическое оборудование
L. A. Mochalov, M. A. Kudryashov, M. A. Vshivtsev, I. O. Prokhorov, P. A. Yunin, T. S. Sazanova, Yu. P. Kudryashova, V. M. Malyshev, A. D. Kulikov, V. M. Vorotyntsev
Structural and Optical Properties of Gallium Sulfide Thin Films Obtained by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.96.106
Gallium sulfides have a wide band gap in the range of 2.85–3.05 eV and are promising for use in the field of photovoltaics and optoelectronics, nonlinear optics, optoelectronics, terahertz devices, and also as the passivation layers in the group III–V semiconductor devices. In this paper, thin films of gallium sulfide GaxS1‑x were obtained for the first time by the plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) using a chlorine-involved transport reaction, while the direct high-purity elements (Ga and S) were applied as the original substances. The nonequilibrium low-temperature plasma of an RF discharge (40.68 MHz) at a reduced pressure (0.01 Torr) was the initiator of chemical transformations. The dependences of composition, surface morphology, structural and optical properties of the obtained films on the plasma discharge power were studied.
Structural and Optical Properties of Gallium Sulfide Thin Films Obtained by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.96.106
Gallium sulfides have a wide band gap in the range of 2.85–3.05 eV and are promising for use in the field of photovoltaics and optoelectronics, nonlinear optics, optoelectronics, terahertz devices, and also as the passivation layers in the group III–V semiconductor devices. In this paper, thin films of gallium sulfide GaxS1‑x were obtained for the first time by the plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) using a chlorine-involved transport reaction, while the direct high-purity elements (Ga and S) were applied as the original substances. The nonequilibrium low-temperature plasma of an RF discharge (40.68 MHz) at a reduced pressure (0.01 Torr) was the initiator of chemical transformations. The dependences of composition, surface morphology, structural and optical properties of the obtained films on the plasma discharge power were studied.
Л. А. Мочалов, М. А. Кудряшов, М. А. Вшивцев, И. О. Прохоров,П. А. Юнин, Т. С. Сазанова, Ю. П. Кудряшова, В. М. Малышев,А. Д. Куликов, В. М. Воротынцев
Структурные и оптические свойства тонких пленок сульфида галлия, полученных плазмохимическим осаждением из газовой фазы DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.96.106
Сульфиды галлия обладают широкой запрещенной зоной в диапазоне 2,85–3,05 эВ и перспективны для использования в фотовольтаике и оптоэлектронике, нелинейной оптики, оптоэлектроники, терагерцевых устройствах, а также в качестве пассивирующих слоев в полупроводниковых приборах III–V групп. В данной работе тонкие пленки сульфида галлия GaxS1−x впервые были получены методом плазмохимического осаждения из газовой фазы (PECVD) с помощью транспортной реакции с участием хлора, при этом непосредственно высокочистые элементы (Ga и S) были использованы в качестве исходных веществ. Неравновесная низкотемпературная плазма ВЧ-разряда (40,68 МГц) при пониженном давлении (0,01 Торр) являлась инициатором химических превращений. Были изучены зависимости состава, морфологии поверхности, структурных и оптических свойств полученных пленок от мощности плазменного разряда.
Структурные и оптические свойства тонких пленок сульфида галлия, полученных плазмохимическим осаждением из газовой фазы DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.96.106
Сульфиды галлия обладают широкой запрещенной зоной в диапазоне 2,85–3,05 эВ и перспективны для использования в фотовольтаике и оптоэлектронике, нелинейной оптики, оптоэлектроники, терагерцевых устройствах, а также в качестве пассивирующих слоев в полупроводниковых приборах III–V групп. В данной работе тонкие пленки сульфида галлия GaxS1−x впервые были получены методом плазмохимического осаждения из газовой фазы (PECVD) с помощью транспортной реакции с участием хлора, при этом непосредственно высокочистые элементы (Ga и S) были использованы в качестве исходных веществ. Неравновесная низкотемпературная плазма ВЧ-разряда (40,68 МГц) при пониженном давлении (0,01 Торр) являлась инициатором химических превращений. Были изучены зависимости состава, морфологии поверхности, структурных и оптических свойств полученных пленок от мощности плазменного разряда.
M. A. Bogachev, D. D. Vasiliev, K. M. Moiseev, M. V. Nazarenko
Processing of Optical Crystals and LEDs in Glow Discharge Plasma DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.108.112
Glow discharge plasma treatment is increasingly being used to clean the surfaces of materials from contamination, reduce surface roughness, increase surface energy and surface modification. The article presents the results of plasma processing of high-frequency and low-frequency gas discharge in the MPC RF‑12 plasma processing unit of optical crystal disks and cassettes of solid-state LEDs. The influence of parameters and modes of plasma treatment, namely power, time and type of working gas on the quality of treatment is estimated. It is shown that plasma treatment is a powerful tool for influencing the surface properties of optical crystals, is effective for removing metal oxide layers and is safe for adhesive joints of crystals with a base.
Processing of Optical Crystals and LEDs in Glow Discharge Plasma DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.108.112
Glow discharge plasma treatment is increasingly being used to clean the surfaces of materials from contamination, reduce surface roughness, increase surface energy and surface modification. The article presents the results of plasma processing of high-frequency and low-frequency gas discharge in the MPC RF‑12 plasma processing unit of optical crystal disks and cassettes of solid-state LEDs. The influence of parameters and modes of plasma treatment, namely power, time and type of working gas on the quality of treatment is estimated. It is shown that plasma treatment is a powerful tool for influencing the surface properties of optical crystals, is effective for removing metal oxide layers and is safe for adhesive joints of crystals with a base.
М. А. Богачев, Д. Д. Васильев, К. М. Моисеев, М. В. Назаренко
Обработка оптических кристаллов и светодиодов в плазме тлеющего разряда DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.108.112
Обработка в плазме тлеющего разряда все активнее применяется для очистки поверхностей материалов от загрязнений, уменьшения шероховатости поверхности, повышения поверхностной энергии и модификации поверхности. В статье приведены результаты обработки в плазме высокочастотного и низкочастотного газового разряда в установке плазменной обработки MPC RF‑12 дисков оптических кристаллов и кассет твердотельных светодиодов. Оценено влияние параметров и режимов плазменной обработки, а именно мощности, времени и типа рабочего газа, на качество обработки. Показано, что плазменная обработка является мощным инструментом влияния на свойства поверхности оптических кристаллов, эффективна для удаления оксидных слоев металлов и безопасна для клеевых соединений кристаллов с основанием.
Обработка оптических кристаллов и светодиодов в плазме тлеющего разряда DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.108.112
Обработка в плазме тлеющего разряда все активнее применяется для очистки поверхностей материалов от загрязнений, уменьшения шероховатости поверхности, повышения поверхностной энергии и модификации поверхности. В статье приведены результаты обработки в плазме высокочастотного и низкочастотного газового разряда в установке плазменной обработки MPC RF‑12 дисков оптических кристаллов и кассет твердотельных светодиодов. Оценено влияние параметров и режимов плазменной обработки, а именно мощности, времени и типа рабочего газа, на качество обработки. Показано, что плазменная обработка является мощным инструментом влияния на свойства поверхности оптических кристаллов, эффективна для удаления оксидных слоев металлов и безопасна для клеевых соединений кристаллов с основанием.
Теги: cleaning of optical elements low-temperature pulsed plasma optical crystals plasma surface treatment solid-state leds низкотемпературная импульсная плазма оптические кристаллы очистка оптических элементов плазменная обработка поверхности твердотельные светодиоды
Opto-electronic systems and complexes
Оптико-электронные системы и комплексы
A. V. Medvedev, A. V. Grinkevich, S. N. Knyazeva
Electro-Optical Surveillance and All-Round Camera Systems DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.146.166
The article considers a special class of optoelectronic devices, namely the television panoramic all-round viewing devices designed for 360° instantaneous viewing. Various design versions of panoramic devices are given, special attention is paid to the all-round television panoramic device with the upper hemisphere that provides an opportunity to observe the upper hemisphere without any dead areas using 4 television channels and solving the problem of UAV detection and counteraction in the anti-aircraft area.
Electro-Optical Surveillance and All-Round Camera Systems DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.146.166
The article considers a special class of optoelectronic devices, namely the television panoramic all-round viewing devices designed for 360° instantaneous viewing. Various design versions of panoramic devices are given, special attention is paid to the all-round television panoramic device with the upper hemisphere that provides an opportunity to observe the upper hemisphere without any dead areas using 4 television channels and solving the problem of UAV detection and counteraction in the anti-aircraft area.
А. В. Медведев, А. В. Гринкевич, С. Н. Князева
Оптико-электронные системы наблюдения и кругового обзора DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.146.166
В статье рассмотрен особый класс оптико-электронных приборов – телевизионные панорамные приборы кругового обзора, предназначенные для мгновенного обзора в угле 360°. Приведены различные варианты исполнения панорамных приборов, особое внимание уделено телевизионному панорамному прибору кругового обзора с верхней полусферой. Он обеспечивает возможность наблюдения верхней полусферы без «мертвых» зон при применении 4‑х телевизионных каналов и решает задачу обнаружения и противодействия БПЛА в зенитной области.
Оптико-электронные системы наблюдения и кругового обзора DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.146.166
В статье рассмотрен особый класс оптико-электронных приборов – телевизионные панорамные приборы кругового обзора, предназначенные для мгновенного обзора в угле 360°. Приведены различные варианты исполнения панорамных приборов, особое внимание уделено телевизионному панорамному прибору кругового обзора с верхней полусферой. Он обеспечивает возможность наблюдения верхней полусферы без «мертвых» зон при применении 4‑х телевизионных каналов и решает задачу обнаружения и противодействия БПЛА в зенитной области.
Теги: all-round view anti-aircraft area instantaneous view area panoramic device uav detection зенитная область круговой обзор область мгновенного обзора обнаружение бпла панорамный прибор
Quantum Technologies
Квантовые технологии
S. N. Mosentsov, A. V. Losev, V. V. Zavodilenko, A. A. Filyaev, I. D. Pavlov, N. V. Burov
Comparison of Domestic Single Photon Detectors by QRate With the An-alogues by ID Quantique DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.134.145
The article is devoted to the comparison of specifications of the single photon detectors manufactured by QRate (Russia) and ID Quantique (Switzerland). Their quantum efficiencies, dark count rates, and afterpulse probabilities have been examined in this work. The test results have showed the interchangeability of detectors and non-compliance of foreign detectors with the declared specifications and demonstrated the potential capacities of domestic development.
Comparison of Domestic Single Photon Detectors by QRate With the An-alogues by ID Quantique DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.134.145
The article is devoted to the comparison of specifications of the single photon detectors manufactured by QRate (Russia) and ID Quantique (Switzerland). Their quantum efficiencies, dark count rates, and afterpulse probabilities have been examined in this work. The test results have showed the interchangeability of detectors and non-compliance of foreign detectors with the declared specifications and demonstrated the potential capacities of domestic development.
С. Н. Мосенцов, А. В. Лосев, В. В. Заводиленко, А. А. Филяев, И. Д. Павлов, Н. В. Буров
Сравнение отечественных детекторов одиночных фотонов от QRate c аналогами от ID Quantique DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.134.145
Статья посвящена сравнению характеристик детекторов одиночных фотонов производителей QRate (Россия) и ID Quantique (Швейцария). В работе исследованы их квантовые эффективности, частоты темнового счета и вероятности послеимпульсов. Результаты тестирования показали взаимозаменяемость детекторов, несоответствие зарубежных детекторов заявленным характеристикам и продемонстрировали потенциал отечественной разработки.
Сравнение отечественных детекторов одиночных фотонов от QRate c аналогами от ID Quantique DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.134.145
Статья посвящена сравнению характеристик детекторов одиночных фотонов производителей QRate (Россия) и ID Quantique (Швейцария). В работе исследованы их квантовые эффективности, частоты темнового счета и вероятности послеимпульсов. Результаты тестирования показали взаимозаменяемость детекторов, несоответствие зарубежных детекторов заявленным характеристикам и продемонстрировали потенциал отечественной разработки.
Теги: id quantique qrate quantum technologies russian production single photon detector детектор одиночных фотонов квантовые технологии российское производство
News
Новости
N. L. Istomina
Quantum Initiative DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.88
The history of development, achievements and current trends in improving technological solutions to increase the transmission speed, energy and economic efficiency of the domestic fiber-optic communication networks are considered.
Quantum Initiative DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.88
The history of development, achievements and current trends in improving technological solutions to increase the transmission speed, energy and economic efficiency of the domestic fiber-optic communication networks are considered.
Н. Л. Истомина
Квантовая инициатива DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.88
Рассмотрены история развития, достижения и современные тенденции совершенствования технологических решений по увеличению скорости передачи, энергетической и экономической эффективности работы отечественных волоконно-оптических сетей связи.
Квантовая инициатива DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.88
Рассмотрены история развития, достижения и современные тенденции совершенствования технологических решений по увеличению скорости передачи, энергетической и экономической эффективности работы отечественных волоконно-оптических сетей связи.
Теги: ber coherent detection data centers dwdm edfa error rate extra-long lines faraday effect fiber optic communication network flatness flexgrid modulation format osnr margin required osnr ropa spectral efficiency spectrum management spectrum shaping symbol rate волоконно-оптическая сеть связи дата-центры запас по osnr когерентный прием коэффициент ошибок неравномерность сверхдлинные линии символьная скорость спектральная эффективность требуемый osnr управление спектром формат модуляции формирование спектра эффект фарадея
Optoelectronic Instruments & Devices
Оптоэлектронные приборы и устройства
A. V. Naumov, V. V. Startsev
Germanium as a Photonics Substance: from Lenses to Dislocation-Free Wafers DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.114.132
The article considers the process of development of germanium single crystal growth technology by the Czochralsky method, which allowed the application of germanium properties in IR optics and in gamma radiation detection. It is expected that germanium may return to optoelectronics again: recent developments in the cultivation of dislocation-free crystals have shown that germanium is a promising material for next-generation nanoscale electronic devices and for the integration of optical functions on logic circuits.
Germanium as a Photonics Substance: from Lenses to Dislocation-Free Wafers DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.114.132
The article considers the process of development of germanium single crystal growth technology by the Czochralsky method, which allowed the application of germanium properties in IR optics and in gamma radiation detection. It is expected that germanium may return to optoelectronics again: recent developments in the cultivation of dislocation-free crystals have shown that germanium is a promising material for next-generation nanoscale electronic devices and for the integration of optical functions on logic circuits.
А. В. Наумов, В. В. Старцев
Германий как материал фотоники – от линз до бездислокационных подложек DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.114.132
В статье рассмотрен процесс развития технологии роста монокристаллов германия методом Чохральского, который позволил использовать свойства германия для применения в ИК-оптике и в детектирование гамма-излучения. Ожидается, что германий может вновь вернуться в оптоэлектронику: последние разработки выращивания бездислокационных кристаллов показали, что германий является перспективным материалом для наноразмерных электронных устройств следующего поколения и интеграции оптических функций на логических схемах.
Германий как материал фотоники – от линз до бездислокационных подложек DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.114.132
В статье рассмотрен процесс развития технологии роста монокристаллов германия методом Чохральского, который позволил использовать свойства германия для применения в ИК-оптике и в детектирование гамма-излучения. Ожидается, что германий может вновь вернуться в оптоэлектронику: последние разработки выращивания бездислокационных кристаллов показали, что германий является перспективным материалом для наноразмерных электронных устройств следующего поколения и интеграции оптических функций на логических схемах.