eng
Portrait of The Company
Портрет компании
D. S. Chekhanovsky
Innovative Partner of the “Microelectronics 2025” Forum – Laser Center DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2025.19.5.340.343
The domestic microelectronics industry comprises a wide range of developers and manufacturers, each of which has its own specialization. Achievement of the technological sovereignty in the field of microelectronics is impossible without active development and improvement of the specialized processing equipment. How can the standard microelectronics production processes be combined with the advanced laser technologies in a single system? This is precisely the question answered by the laser equipment produced by Laser Center. The company manufactures the equipment for electronic engineering that successfully implements various processes such as demetallization, scribing, green ceramics processing, piercing of corundum ceramics and ferrite, and mesa structuring of semiconductor materials. Laser Center acts as an innovation partner for the Microelectronics‑2025 forum. In his interview, Head of the supply department of the company Denis Sergeevich Chekhanovskiy highlighted the advantages of laser equipment for manufacturing of the electronic products. Beyond the user convenience, this equipment ensures high reproducibility of results, leading to the increased the efficiency and competitiveness of the our microelectronics industry.
Innovative Partner of the “Microelectronics 2025” Forum – Laser Center DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2025.19.5.340.343
The domestic microelectronics industry comprises a wide range of developers and manufacturers, each of which has its own specialization. Achievement of the technological sovereignty in the field of microelectronics is impossible without active development and improvement of the specialized processing equipment. How can the standard microelectronics production processes be combined with the advanced laser technologies in a single system? This is precisely the question answered by the laser equipment produced by Laser Center. The company manufactures the equipment for electronic engineering that successfully implements various processes such as demetallization, scribing, green ceramics processing, piercing of corundum ceramics and ferrite, and mesa structuring of semiconductor materials. Laser Center acts as an innovation partner for the Microelectronics‑2025 forum. In his interview, Head of the supply department of the company Denis Sergeevich Chekhanovskiy highlighted the advantages of laser equipment for manufacturing of the electronic products. Beyond the user convenience, this equipment ensures high reproducibility of results, leading to the increased the efficiency and competitiveness of the our microelectronics industry.
Д. С. Чехановский
Инновационный партнер форума «Микроэлектроника‑2025» – компания «Лазерный Центр» DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2025.19.5.340.343
В отечественной микроэлектронике существует широкий круг разработчиков и производителей, каждый из которых имеет свою специализацию. Достижение технологического суверенитета в сфере микроэлектроники невозможно без активной разработки и совершенствования специализированного обрабатывающего оборудования. Как соединить в общем устройстве классические технологические операции микроэлектроники и передовые лазерные технологии? Именно этим вопросам отвечает лазерное оборудование компании «Лазерный Центр». Компания выпускает оборудование для электронного машиностроения, которое успешно реализует процессы деметаллизации, скрайбирования, обработки сырой керамики, прошивки отверстий в корундовой керамике и феррите, мезаструктурирования полупроводниковых материалов. Компания «Лазерный центр» выступает в роли инновационного партнера форума «Микроэлектроника‑2025».
Инновационный партнер форума «Микроэлектроника‑2025» – компания «Лазерный Центр» DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2025.19.5.340.343
В отечественной микроэлектронике существует широкий круг разработчиков и производителей, каждый из которых имеет свою специализацию. Достижение технологического суверенитета в сфере микроэлектроники невозможно без активной разработки и совершенствования специализированного обрабатывающего оборудования. Как соединить в общем устройстве классические технологические операции микроэлектроники и передовые лазерные технологии? Именно этим вопросам отвечает лазерное оборудование компании «Лазерный Центр». Компания выпускает оборудование для электронного машиностроения, которое успешно реализует процессы деметаллизации, скрайбирования, обработки сырой керамики, прошивки отверстий в корундовой керамике и феррите, мезаструктурирования полупроводниковых материалов. Компания «Лазерный центр» выступает в роли инновационного партнера форума «Микроэлектроника‑2025».
Opto-electronic systems and complexes
Оптико-электронные системы и комплексы
M. V. Ostanin, D. G. Otkupman, M. V. Shakhmatov
Parameter Selection Methods for the Basic Range Sensors and Determination of Its Range Characteristic DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2025.19.5.390.399
FSBEI HE “Moscow State University of Geodesy and Cartography” (MIIGAiK), Moscow, Russia
The parameter selection methods for the onboard basic automatic active optical range sensors and determination of its range characteristic are considered. The paper provides for the dependences and influence of the base value, focal distance and the circle of confusion value on the relative response error of range sensors, as well as selection of these parameters at a given relative error and response distance. The models and optical circuits of the sensors based on a photo- and laser diode developed according to the established method are shown.
Parameter Selection Methods for the Basic Range Sensors and Determination of Its Range Characteristic DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2025.19.5.390.399
FSBEI HE “Moscow State University of Geodesy and Cartography” (MIIGAiK), Moscow, Russia
The parameter selection methods for the onboard basic automatic active optical range sensors and determination of its range characteristic are considered. The paper provides for the dependences and influence of the base value, focal distance and the circle of confusion value on the relative response error of range sensors, as well as selection of these parameters at a given relative error and response distance. The models and optical circuits of the sensors based on a photo- and laser diode developed according to the established method are shown.
М. В. Останин, Д. Г. Откупман, М. В. Шахматов
Методики выбора параметров датчиков дальности базового типа и расчета дистанционной характеристики DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2025.19.5.390.399
Рассматриваются методики выбора параметров бортовых автоматических активных оптических датчиков дальности базового типа и расчета дистанционной характеристики. Приведены зависимости и влияние величины базы, фокусного расстояния и величины кружка рассеяния на относительную погрешность срабатывания датчиков дальности, а также выбор указанных параметров при заданной относительной погрешности и дистанции срабатывания. Показаны модели и оптические схемы датчиков на основе фото- и лазерного диода, созданных по разработанной методике.
Методики выбора параметров датчиков дальности базового типа и расчета дистанционной характеристики DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2025.19.5.390.399
Рассматриваются методики выбора параметров бортовых автоматических активных оптических датчиков дальности базового типа и расчета дистанционной характеристики. Приведены зависимости и влияние величины базы, фокусного расстояния и величины кружка рассеяния на относительную погрешность срабатывания датчиков дальности, а также выбор указанных параметров при заданной относительной погрешности и дистанции срабатывания. Показаны модели и оптические схемы датчиков на основе фото- и лазерного диода, созданных по разработанной методике.
Теги: energy efficiency function laser range sensors range characteristic reference distance базовое расстояние дистанционная характеристика лазерные датчики дальности функция энергетической эффективности
Optical Devices & Systems
Оптические устройства и системы
G. I. Kropotov, D. A. Popov, D. I. Tsypishka, A. A. Shakhmin
Optics for Terahertz Applications DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2025.19.5.364.376
The article discusses the production features of the optical elements for application in the THz range devices and equipment, describes the properties and specifications of optical materials for its production, and provides the application examples. Special attention is paid to the elements used exclusively in the THz systems and devices.
Optics for Terahertz Applications DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2025.19.5.364.376
The article discusses the production features of the optical elements for application in the THz range devices and equipment, describes the properties and specifications of optical materials for its production, and provides the application examples. Special attention is paid to the elements used exclusively in the THz systems and devices.
Г. И. Кропотов, Д. А. Попов, Д. И. Цыпишка, А. А. Шахмин
Оптика для терагерцевых применений DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2025.19.5.364.376
В статье рассматриваются особенности изготовления оптических элементов для применения в приборах и устройствах терагерцевого диапазона, описываются свойства и характеристики оптических материалов для их производства, приводятся примеры применения. Особое внимание уделено элементам, использующимся исключительно в терагерцевых системах и устройствах.
Оптика для терагерцевых применений DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2025.19.5.364.376
В статье рассматриваются особенности изготовления оптических элементов для применения в приборах и устройствах терагерцевого диапазона, описываются свойства и характеристики оптических материалов для их производства, приводятся примеры применения. Особое внимание уделено элементам, использующимся исключительно в терагерцевых системах и устройствах.
Теги: fresnel’s lenses f-theta lenses f-theta линзы optical elements for the terahertz range terahertz (thz) radiation линзы френеля оптические элементы для терагерцевого диапазона терагерцевое излучение
G. V. Simonenko
π-Cell Based Liquid Crystal Modulator for THz Measurements DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2025.19.5.378.388
This article presents the development of a computer model for calculating the optical specifications of a liquid crystal modulator. It allows considering multipath interference in the device with acceptable approximations and does not require any significant computational costs. The performance analysis of a THz radiation modulator based on a multicellular liquid crystal structure is performed.
π-Cell Based Liquid Crystal Modulator for THz Measurements DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2025.19.5.378.388
This article presents the development of a computer model for calculating the optical specifications of a liquid crystal modulator. It allows considering multipath interference in the device with acceptable approximations and does not require any significant computational costs. The performance analysis of a THz radiation modulator based on a multicellular liquid crystal structure is performed.
Г. В. Симоненко
Жидкокристаллический модулятор на базе π-ячейки для ТГц-измерений DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2025.19.5.378.388
Представлена разработка компьютерной модели расчета оптических характеристик жидкокристаллического модулятора (ЖК), которая позволяет при допустимых приближениях учитывать многолучевую интерференцию в устройстве и не требует больших вычислительных затрат. Выполнен анализ характеристик модулятора ТГц-излучения на базе многоячеистой ЖК-структуры.
Жидкокристаллический модулятор на базе π-ячейки для ТГц-измерений DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2025.19.5.378.388
Представлена разработка компьютерной модели расчета оптических характеристик жидкокристаллического модулятора (ЖК), которая позволяет при допустимых приближениях учитывать многолучевую интерференцию в устройстве и не требует больших вычислительных затрат. Выполнен анализ характеристик модулятора ТГц-излучения на базе многоячеистой ЖК-структуры.
Теги: liquid crystal structure thz radiation modulator жидкокристаллическая структура модулятор тгц-излучения
Quantum Technologies
Квантовые технологии
A. V. Gleim, K. S. Samburskaya, K. V. Smirnov
Trunk and Regional Quantum Network Architecture DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2025.19.5.348.362
The article considers the applicable approaches to the implementation of quantum communications networks in Russia, its architecture, including any relations between the individual elements or levels in the context of available statutory regulations of the quantum communications industry and its common use. The main relevant concepts and definitions are provided.
Trunk and Regional Quantum Network Architecture DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2025.19.5.348.362
The article considers the applicable approaches to the implementation of quantum communications networks in Russia, its architecture, including any relations between the individual elements or levels in the context of available statutory regulations of the quantum communications industry and its common use. The main relevant concepts and definitions are provided.
А. В. Глейм, К. С. Самбурская, К. В. Смирнов
Архитектура построения магистральных и региональных квантовых сетей DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2025.19.5.348.362
В статье рассматриваются текущие подходы при реализации сетей квантовых коммуникаций в России, их архитектура, включающая взаимосвязь между отдельными элементами или уровнями в контексте существующего нормативного регулирования отрасли квантовых коммуникаций и их практического использования. Представлены основные релевантные понятия и определения.
Архитектура построения магистральных и региональных квантовых сетей DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2025.19.5.348.362
В статье рассматриваются текущие подходы при реализации сетей квантовых коммуникаций в России, их архитектура, включающая взаимосвязь между отдельными элементами или уровнями в контексте существующего нормативного регулирования отрасли квантовых коммуникаций и их практического использования. Представлены основные релевантные понятия и определения.
Теги: qkd quantum receiver qkd transmitter quantum communications quantum key distribution (qkd) quantum network quantum-protected communication network квантовая сеть квантовое распределение ключей квантовозащищенная сеть связи квантовые коммуникации квантовый передатчик квантовый приемник
Materials & Coatings
Материалы и покрытия
I. O. Dryagin, A. N. Manin, A. P. Gorshkova, N. L. Istomina
Choice of Materials for Creating Micro-OptoElectromechanical Switches for Next-Generation Communication Systems DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2025.19.5.400.406
The paper discusses the selection of materials for micro-opto-electromechanical switches (MOEMS) used in new generation communication systems. The focus is on the optical and electrical characteristics of materials, such as dielectric permittivity, refractive index, and bandgap. A study of the effect of these parameters on the efficiency of optical systems is carried out. Machine learning methods were used to predict the properties of materials, and promising materials with high dielectric permittivity were identified. The results obtained can be useful in the development of new methods for designing optical and radio-frequency communication components.
Choice of Materials for Creating Micro-OptoElectromechanical Switches for Next-Generation Communication Systems DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2025.19.5.400.406
The paper discusses the selection of materials for micro-opto-electromechanical switches (MOEMS) used in new generation communication systems. The focus is on the optical and electrical characteristics of materials, such as dielectric permittivity, refractive index, and bandgap. A study of the effect of these parameters on the efficiency of optical systems is carried out. Machine learning methods were used to predict the properties of materials, and promising materials with high dielectric permittivity were identified. The results obtained can be useful in the development of new methods for designing optical and radio-frequency communication components.
И. О. Дрягин, А. Н. Манин, А. П. Горшкова, Н. Л. Истомина
Выбор материалов для создания микро-опто-электромеханических переключателей в системах связи нового поколения DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2025.19.5.400.406
В работе предложен метод поиска и оценки выбора материалов для микро-опто-электромеханических переключателей (МОЭМС), применяемых в системах связи нового поколения. В качестве критерия выбора материала приняты диэлектрическая проницаемость, показатель преломления и ширина запрещенной зоны. Проведено исследование влияния данных параметров на эффективность оптических компонентов систем связи. Использованы методы машинного обучения для предсказания свойств материалов и выявлены перспективные материалы с высокой диэлектрической проницаемостью. Полученные результаты будут полезны при разработке новых методов проектирования оптических и радиочастотных компонентов связи.
Выбор материалов для создания микро-опто-электромеханических переключателей в системах связи нового поколения DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2025.19.5.400.406
В работе предложен метод поиска и оценки выбора материалов для микро-опто-электромеханических переключателей (МОЭМС), применяемых в системах связи нового поколения. В качестве критерия выбора материала приняты диэлектрическая проницаемость, показатель преломления и ширина запрещенной зоны. Проведено исследование влияния данных параметров на эффективность оптических компонентов систем связи. Использованы методы машинного обучения для предсказания свойств материалов и выявлены перспективные материалы с высокой диэлектрической проницаемостью. Полученные результаты будут полезны при разработке новых методов проектирования оптических и радиочастотных компонентов связи.
Теги: диэлектрическая проницаемость искусственные материалы машинное обучение микро-опто- электромеханические переключатели (моэмс) оптические компоненты систем связи показатель преломления ширина запрещенной зоны
S. E. Sarkisov, V. A. Yusim, D. N. Chausov
Crystal Scintillator With a Sensitized Circuit for Converting Ionizing Radiation Into the Visible Spectral Band DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2025.19.5.408.418
The inorganic compounds based on crystalline solid solutions are proposed as the materials for visually observable transformation of ionizing radiation. The energy spectra of Ca1‑xLuxF2+x: Eu2+ crystals have showed that the light output is consistently increased upon an increase in the parameter Zeffect related to the advanced LuF3 content. The efficient excitation energy transfer between the impurity rare-earth ions Eu2+ and Pr3+ in the mixed crystals of Ca1‑xLuxF2+x synthesized by the horizontal directional crystallization has been studied. The results of luminescence studies during registration of the γ-, X-ray and short-wave UVC radiation confirm the process of excitation energy transfer from the Eu2+ ions to Pr3+ in Ca1‑xLuxF2+x and allow to consider the Eu2+ ions as an efficient sensitizer of Pr3+ ions. The sensitization-enhanced radiation of Pr3+ ions converts the UV radiation of Eu2+ excited by the γ-quanta into the visible spectral band.
Crystal Scintillator With a Sensitized Circuit for Converting Ionizing Radiation Into the Visible Spectral Band DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2025.19.5.408.418
The inorganic compounds based on crystalline solid solutions are proposed as the materials for visually observable transformation of ionizing radiation. The energy spectra of Ca1‑xLuxF2+x: Eu2+ crystals have showed that the light output is consistently increased upon an increase in the parameter Zeffect related to the advanced LuF3 content. The efficient excitation energy transfer between the impurity rare-earth ions Eu2+ and Pr3+ in the mixed crystals of Ca1‑xLuxF2+x synthesized by the horizontal directional crystallization has been studied. The results of luminescence studies during registration of the γ-, X-ray and short-wave UVC radiation confirm the process of excitation energy transfer from the Eu2+ ions to Pr3+ in Ca1‑xLuxF2+x and allow to consider the Eu2+ ions as an efficient sensitizer of Pr3+ ions. The sensitization-enhanced radiation of Pr3+ ions converts the UV radiation of Eu2+ excited by the γ-quanta into the visible spectral band.
С. Э. Саркисов, В. А. Юсим, Д. Н. Чаусов
Кристаллический сцинтиллятор с сенсибилизированной схемой преобразования ионизирующего излучения в видимый спектральный диапазон DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2025.19.5.408.418
Предложены неорганические соединения на основе кристаллических твердых растворов в качестве материалов для визуально наблюдаемого преобразования ионизирующих излучений. Энергетические спектры кристаллов Са1−хLuxF2+x:Eu2+ показали, что с увеличением параметра Zэфф, связанного с увеличением содержания LuF3, световой выход последовательно увеличивается. Исследован эффективный перенос энергии возбуждения между примесными редкоземельными ионами Eu2+ и Pr3+ в смешанных кристаллах Са1−хLuxF2+x, синтезированных методом горизонтальной направленной кристаллизации. Результаты люминесцентных исследований при регистрации γ-, Х-(рентгеновского) и коротковолнового УФ-излучения свидетельствуют о процессе переноса энергии возбуждения от ионов Eu2+ к Pr3+ в Са1−хLuxF2+x и позволяют считать ионы Eu2+ эффективным сенсибилизатором ионов Pr3+. Усиленное сенсибилизацией излучение ионов Pr3+ преобразует возбужденное γ-квантами УФ излучение Eu2+ в видимую спектральную область.
Кристаллический сцинтиллятор с сенсибилизированной схемой преобразования ионизирующего излучения в видимый спектральный диапазон DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2025.19.5.408.418
Предложены неорганические соединения на основе кристаллических твердых растворов в качестве материалов для визуально наблюдаемого преобразования ионизирующих излучений. Энергетические спектры кристаллов Са1−хLuxF2+x:Eu2+ показали, что с увеличением параметра Zэфф, связанного с увеличением содержания LuF3, световой выход последовательно увеличивается. Исследован эффективный перенос энергии возбуждения между примесными редкоземельными ионами Eu2+ и Pr3+ в смешанных кристаллах Са1−хLuxF2+x, синтезированных методом горизонтальной направленной кристаллизации. Результаты люминесцентных исследований при регистрации γ-, Х-(рентгеновского) и коротковолнового УФ-излучения свидетельствуют о процессе переноса энергии возбуждения от ионов Eu2+ к Pr3+ в Са1−хLuxF2+x и позволяют считать ионы Eu2+ эффективным сенсибилизатором ионов Pr3+. Усиленное сенсибилизацией излучение ионов Pr3+ преобразует возбужденное γ-квантами УФ излучение Eu2+ в видимую спектральную область.