eng
Просмотры: 102
01.10.2026
Модератором выступил академик РАН, д.ф.-м.н. Александр Горбацевич. Смотрите ролик на официальных ресурсах Форума.
Президент РАН, Председатель Программного комитета Российского форума «Микроэлектроника», Руководитель приоритетного технологического направления «Электронные технологии» РФ, академик РАН Геннадий Красников представил дорожную карту развития отрасли до 2042 года. На смену FinFET приходят нанолисты, а затем – CFET, где N- и P- канальные транзисторы располагаются друг над другом. Если современные чипы вмещают более 100 млрд транзисторов, то к 2042 году на той же площади их будет около 7 трлн.
О перспективах применения 2D-материалов рассказал член-корр. РАН, д.ф.-м.н., директор ИПТМ РАН Дмитрий Рощупкин. О технологиях, связанных с применением Low-K и High-K диэлектриков – к.ф.-м.н., АО «НИИМЭ» Аскар Резванов. О передовых методах гетерогенной интеграции на основе интерпозеров – к.ф.-м.н., АО «НИИМЭ» Глеб Баранов. О передовых технологиях энергонезависимой памяти и её интеграции в ИИ-чипы – д.ф.-м.н., доцент, начальник лаборатории СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Наталья Андреева.
Смотреть ролик:
VK
RT
О перспективах применения 2D-материалов рассказал член-корр. РАН, д.ф.-м.н., директор ИПТМ РАН Дмитрий Рощупкин. О технологиях, связанных с применением Low-K и High-K диэлектриков – к.ф.-м.н., АО «НИИМЭ» Аскар Резванов. О передовых методах гетерогенной интеграции на основе интерпозеров – к.ф.-м.н., АО «НИИМЭ» Глеб Баранов. О передовых технологиях энергонезависимой памяти и её интеграции в ИИ-чипы – д.ф.-м.н., доцент, начальник лаборатории СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Наталья Андреева.
Смотреть ролик:
VK
RT
Комментарии читателей
