eng
Выпуск #6/2025
М. С. Ковалев, Н. Г. Сцепуро, Е. В. Ултургашева, С. И. Кудряшов
Одноимпульсный лазерно-индуцированный перенос Al на подложку Si для создания омических контактов
Одноимпульсный лазерно-индуцированный перенос Al на подложку Si для создания омических контактов
Просмотры: 240
DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2025.19.6.466.477
В статье исследованы алюминиевые контакты на кремниевых подложках, созданные методом лазерно-индуцированного переноса. Установлено, что при одноимпульсном режиме экспонирования в точку поверхности и плотности энергии 15 Дж / см2 достигается концентрация алюминия 18,6% и минимальное контактное сопротивление 439 ± 4 Ом. Метод упрощает процесс формирования контакта и исключает необходимость в сложной очистке, что делает его перспективным для будущих электронных приложений на основе кремния.
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
В статье исследованы алюминиевые контакты на кремниевых подложках, созданные методом лазерно-индуцированного переноса. Установлено, что при одноимпульсном режиме экспонирования в точку поверхности и плотности энергии 15 Дж / см2 достигается концентрация алюминия 18,6% и минимальное контактное сопротивление 439 ± 4 Ом. Метод упрощает процесс формирования контакта и исключает необходимость в сложной очистке, что делает его перспективным для будущих электронных приложений на основе кремния.
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Отзывы читателей
