Просмотры: 968
18.10.2018
Конференция «Кремний-2018» является продолжением серии научных конференций посвященных кремнию, которые проводятся каждые два года начиная с 2000 года. Свою историю она ведет с общероссийского совещания по кремнию, проведенного в МИСиС в 1999 году. С 2000 года параллельно с конференцией проводится еще и Школа для молодых ученых и специалистов.
За эти годы Конференция превратилась в основной форум, где ученые, представляющие академическое сообщество, ВУЗы и промышленность России и стран СНГ, обсуждают актуальные проблем
На конференции «Кремний-2018» будут представлены следующие направления исследований:
♦ Материаловедение кристаллического кремния: получение и очистка металлургического
кремния, процессы роста из расплавов, химического осаждения из газовой фазы, аппаратура для роста.
♦ Получение кремния солнечного качества и проблемы солнечной энергетики.
♦ Атомные процессы на поверхности, границах раздела и в объеме кремния: дефекты, примесные атомы, гетерограницы.
♦Тонкие пленки в кремниевой микроэлектронике: эпитаксиальные слои, кремний-на-изоляторе, напряженные структуры и low и high-k диэлектрик.
♦ Физика кремниевых квантово-размерных структур для нано- и оптоэлектроники, фотоники, спинтроники и логических элементов для квантовых вычислений.
♦ Нанотехнологии кремниевой электроники, включая, ионную имплан- тацию, литографию, технологии создания квантовых структур, диагностику.
♦ Моделирование процессов роста кремния и структур на его основе, включая разработку алгоритмов и программного обеспечения.
♦ Кремниевая электронная компонентная база для наноэлектроники, оптоэлек- троники, силовой электроники, светоизлучающих структур, фотоприемников, микромеханики и сенсорики.
За эти годы Конференция превратилась в основной форум, где ученые, представляющие академическое сообщество, ВУЗы и промышленность России и стран СНГ, обсуждают актуальные проблем
На конференции «Кремний-2018» будут представлены следующие направления исследований:
♦ Материаловедение кристаллического кремния: получение и очистка металлургического
кремния, процессы роста из расплавов, химического осаждения из газовой фазы, аппаратура для роста.
♦ Получение кремния солнечного качества и проблемы солнечной энергетики.
♦ Атомные процессы на поверхности, границах раздела и в объеме кремния: дефекты, примесные атомы, гетерограницы.
♦Тонкие пленки в кремниевой микроэлектронике: эпитаксиальные слои, кремний-на-изоляторе, напряженные структуры и low и high-k диэлектрик.
♦ Физика кремниевых квантово-размерных структур для нано- и оптоэлектроники, фотоники, спинтроники и логических элементов для квантовых вычислений.
♦ Нанотехнологии кремниевой электроники, включая, ионную имплан- тацию, литографию, технологии создания квантовых структур, диагностику.
♦ Моделирование процессов роста кремния и структур на его основе, включая разработку алгоритмов и программного обеспечения.
♦ Кремниевая электронная компонентная база для наноэлектроники, оптоэлек- троники, силовой электроники, светоизлучающих структур, фотоприемников, микромеханики и сенсорики.
Комментарии читателей