eng
Просмотры: 1614
12.10.2018
13-16 ноября в Санкт-Петербурге пройдет симпозиум, посвященный актуальным проблемам получения, исследования и применения различных типов полупроводниковых лазеров.
Целью симпозиума является определение приоритетов, которые можно обнаружить в ходе обсуждения научных и инженерных направлений развития данной области.
Целью симпозиума является определение приоритетов, которые можно обнаружить в ходе обсуждения научных и инженерных направлений развития данной области.
Мероприятие направлено на создание связей между заинтересованными научными, инженерными коллективами и представителями бизнеса.
На симпозиуме запланирована молодежная сессия, для участия в которой приглашаются молодые сотрудники, аспиранты и студенты вузов, занимающиеся данной областью исследований.
Тематика симпозиума включает:
▪▪ Полупроводниковые лазеры:
• видимого и УФ-диапазона;
• ИК- диапазона;
• ТГц-диапазона.
▪▪ Мощные полупроводниковые лазеры и лазерные линейки.
▪▪ Вертикально–излучающие лазеры.
▪▪ Квантово–каскадные лазеры.
▪▪ Полупроводниковые лазеры для нанофотоники.
▪▪ Новые конструкции полупроводниковых лазеров.
▪▪ Физические процессы в лазерных структурах
▪▪ Методы получения и диагностики лазерных структур.
▪▪ Применения полупроводниковых лазеров.
Откроет симпозиум доклад "Гетероструктуры в оптоэлектронике – тенденции развития" Председателя Организационного комитета симпозиума академика РАН, лауреата нобелевской премии Ж. И. Алферова (Академический университет, С.‑ Петербург). Уже известна предварительная научная программа:
▪▪ Крохин О. Н. Спектральное суммирование (ФИАН, Москва).
▪▪ Сурис Р. А. Квантово-каскадные лазеры на квантовых точках (ФТИ, С.‑ Петербург).
▪▪ Щукин В. А. Современные вертикально-излучающие лазеры для сверхбыстрой передачи данных и для применения в 3D сенсорах (VI Systems GmbH, Berlin, Germany).
▪▪ Микаелян Г. Т. Замкнутый цикл производства диодных лазеров и систем на их основе (Группа компаний "Вартон", НИЯУ МИФИ, Москва).
▪▪ Аврутин Е. А. Полупроводниковые лазеры в безопасном для глаз диапазоне длин волн (University of York, UK).
▪▪ Андронов А. А.Мощный многомодовый ТГц дисковый лазер с широким вертикальным пучком (ИФМ РАН, Нижний Новгород).
▪▪ Кочаровский В. В. Сравнительный анализ динамических спектров поляризации активной среды и электромагнитного поля в сверхизлучающих полупроводниковых лазерах (ИПФ РАН, Нижний Новгород).
▪▪ Асрян Л. В. Волноводная рекомбинация и ее влияние на характеристики лазерных диодов (Virginia Polytechnic Institute and State University, USA).
▪▪ Алешкин В. Я. О возможности создания инжекционного лазера на туннельно-связанных слоях графена (ИФМ РАН, Нижний Новгород).
▪▪ Устинов В. М. Вертикально-излучающие лазеры на квантовых точках (НТЦ Микроэлектроники, С.‑ Петербург).
▪▪ Пихтин Н. А. Мощные лазерные диоды спектрального диапазона 1 400–1 600 нм (ФТИ, С.‑ Петербург).
▪▪ Середин П. В. Диагностика лазерных наногетероструктур (Воронежский государственный университет).
▪▪ Тер-Мартиросян А. Л. Разработка параметрического ряда конструктивно и технологически подобных энергоэффективных мощных инжекционных лазеров нового поколения (ЗАО "Полупроводниковые приборы", С.‑ Петербург).
▪▪ Симаков В. А. Современное состояние разработки полупроводниковых источников излучения для перспективных лазерных информационных систем (ФГУП НИИ "Полюс", Москва).
▪▪ Мармалюк А. А. Одномодовые полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs / InP с выходной мощностью свыше 300 мВт (ФГУП НИИ "Полюс", Москва).
▪▪ Коняев В. П. Мощные лазерные диоды на спектральные диапазоны 810 и 950 нм (ФГУП НИИ "Полюс", Москва).
▪▪ Буров Л. И. Формирование спектрально-поляризационной структуры излучения в полупроводниковых лазерах (БГУ, Минск, Беларусь).
▪▪ Луценко Е. В. Характеристики инжекционных лазеров видимого диапазона спектра и их возможные применения (Институт Физики им. Б. И. Степанова, Минск, Беларусь).
▪▪ Афоненко А. А. Увеличение мощности излучения лазерных гетероструктур на основе GaAs / AlGaAs за счет введения дополнительной КЯ (БГУ, Беларусь, Минск).
▪▪ Козловский В. И. Перестраиваемый в спектральной области 3.75–4.82 мкм Fe : ZnSe лазер с высокой выходной энергией, работающий при термоэлектрическом охлаждении (ФИАН, НИЯУ МИФИ, Москва).
▪▪ Дураев В. П. Перестраиваемые одночастотные полупроводниковые лазеры и их применение (ЗАО "Нолатех", Москва).
▪▪ Засавицкий И. И. Квантовый каскадный лазер на основе гетеропары GaInAs / AlInAs с длиной волны излучения 5,6 мкм и рабочей температурой более 300 К (ФИАН, Москва).
▪▪ Кочаровский В. В. Сравнительный анализ динамических спектров поляризации активной среды и электромагнитного поля в сверхизлучающих полупроводниковых лазерах (ИПФ РАН, Н. Новгород).
▪▪ Соколовский Г. С. Генерация второй гармоники при дробном порядке периодической поляризации (ФТИ, СПб).
▪▪ Слипченко С. О. Новые подходы для генерации мощных лазерных импульсов на основе многопереходных гетероструктур лазеров-тиристоров (ФТИ, СПб).
▪▪ Соколова З. Н. Эволюция характеристик мощного полупроводникового лазера с квантовыми ямами (ФТИ, СПб).
На симпозиуме запланирована молодежная сессия, для участия в которой приглашаются молодые сотрудники, аспиранты и студенты вузов, занимающиеся данной областью исследований.
Тематика симпозиума включает:
▪▪ Полупроводниковые лазеры:
• видимого и УФ-диапазона;
• ИК- диапазона;
• ТГц-диапазона.
▪▪ Мощные полупроводниковые лазеры и лазерные линейки.
▪▪ Вертикально–излучающие лазеры.
▪▪ Квантово–каскадные лазеры.
▪▪ Полупроводниковые лазеры для нанофотоники.
▪▪ Новые конструкции полупроводниковых лазеров.
▪▪ Физические процессы в лазерных структурах
▪▪ Методы получения и диагностики лазерных структур.
▪▪ Применения полупроводниковых лазеров.
Откроет симпозиум доклад "Гетероструктуры в оптоэлектронике – тенденции развития" Председателя Организационного комитета симпозиума академика РАН, лауреата нобелевской премии Ж. И. Алферова (Академический университет, С.‑ Петербург). Уже известна предварительная научная программа:
▪▪ Крохин О. Н. Спектральное суммирование (ФИАН, Москва).
▪▪ Сурис Р. А. Квантово-каскадные лазеры на квантовых точках (ФТИ, С.‑ Петербург).
▪▪ Щукин В. А. Современные вертикально-излучающие лазеры для сверхбыстрой передачи данных и для применения в 3D сенсорах (VI Systems GmbH, Berlin, Germany).
▪▪ Микаелян Г. Т. Замкнутый цикл производства диодных лазеров и систем на их основе (Группа компаний "Вартон", НИЯУ МИФИ, Москва).
▪▪ Аврутин Е. А. Полупроводниковые лазеры в безопасном для глаз диапазоне длин волн (University of York, UK).
▪▪ Андронов А. А.Мощный многомодовый ТГц дисковый лазер с широким вертикальным пучком (ИФМ РАН, Нижний Новгород).
▪▪ Кочаровский В. В. Сравнительный анализ динамических спектров поляризации активной среды и электромагнитного поля в сверхизлучающих полупроводниковых лазерах (ИПФ РАН, Нижний Новгород).
▪▪ Асрян Л. В. Волноводная рекомбинация и ее влияние на характеристики лазерных диодов (Virginia Polytechnic Institute and State University, USA).
▪▪ Алешкин В. Я. О возможности создания инжекционного лазера на туннельно-связанных слоях графена (ИФМ РАН, Нижний Новгород).
▪▪ Устинов В. М. Вертикально-излучающие лазеры на квантовых точках (НТЦ Микроэлектроники, С.‑ Петербург).
▪▪ Пихтин Н. А. Мощные лазерные диоды спектрального диапазона 1 400–1 600 нм (ФТИ, С.‑ Петербург).
▪▪ Середин П. В. Диагностика лазерных наногетероструктур (Воронежский государственный университет).
▪▪ Тер-Мартиросян А. Л. Разработка параметрического ряда конструктивно и технологически подобных энергоэффективных мощных инжекционных лазеров нового поколения (ЗАО "Полупроводниковые приборы", С.‑ Петербург).
▪▪ Симаков В. А. Современное состояние разработки полупроводниковых источников излучения для перспективных лазерных информационных систем (ФГУП НИИ "Полюс", Москва).
▪▪ Мармалюк А. А. Одномодовые полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs / InP с выходной мощностью свыше 300 мВт (ФГУП НИИ "Полюс", Москва).
▪▪ Коняев В. П. Мощные лазерные диоды на спектральные диапазоны 810 и 950 нм (ФГУП НИИ "Полюс", Москва).
▪▪ Буров Л. И. Формирование спектрально-поляризационной структуры излучения в полупроводниковых лазерах (БГУ, Минск, Беларусь).
▪▪ Луценко Е. В. Характеристики инжекционных лазеров видимого диапазона спектра и их возможные применения (Институт Физики им. Б. И. Степанова, Минск, Беларусь).
▪▪ Афоненко А. А. Увеличение мощности излучения лазерных гетероструктур на основе GaAs / AlGaAs за счет введения дополнительной КЯ (БГУ, Беларусь, Минск).
▪▪ Козловский В. И. Перестраиваемый в спектральной области 3.75–4.82 мкм Fe : ZnSe лазер с высокой выходной энергией, работающий при термоэлектрическом охлаждении (ФИАН, НИЯУ МИФИ, Москва).
▪▪ Дураев В. П. Перестраиваемые одночастотные полупроводниковые лазеры и их применение (ЗАО "Нолатех", Москва).
▪▪ Засавицкий И. И. Квантовый каскадный лазер на основе гетеропары GaInAs / AlInAs с длиной волны излучения 5,6 мкм и рабочей температурой более 300 К (ФИАН, Москва).
▪▪ Кочаровский В. В. Сравнительный анализ динамических спектров поляризации активной среды и электромагнитного поля в сверхизлучающих полупроводниковых лазерах (ИПФ РАН, Н. Новгород).
▪▪ Соколовский Г. С. Генерация второй гармоники при дробном порядке периодической поляризации (ФТИ, СПб).
▪▪ Слипченко С. О. Новые подходы для генерации мощных лазерных импульсов на основе многопереходных гетероструктур лазеров-тиристоров (ФТИ, СПб).
▪▪ Соколова З. Н. Эволюция характеристик мощного полупроводникового лазера с квантовыми ямами (ФТИ, СПб).
Н. А. Пихтин, Председатель Программного комитета, ФТИ им. А. Ф. Иоффе, ioffe.ru / lasers18
Комментарии читателей
