eng
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
Просмотры: 4794
20.12.2021
17 декабря на общем собрании Национальной академии наук Беларуси состоялись выборы иностранных членов академии. В результате открытого голосования были избраны 12 иностранных членов НАН Беларуси, среди которых – генеральный директор АО «НИИМЭ», Председатель Совета директоров АО «Микрон», академик-секретарь Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, академик РАН Геннадий Яковлевич Красников.
Научные достижения Г.Я. Красникова легли в основу создания более 200 типов микросхем, которые ранее выпускались за пределами РФ. Создан уникальный комплекс по разработке и промышленному производству интегральных микросхем уровня 180-90-65нм, на базе которых реализованы стратегические государственные проекты по импортозамещению. В 2016 году решением Президента Российской Федерации В.В. Путина академик Г.Я. Красников наделен полномочиями руководителя приоритетного технологического направления по электронным технологиям.
Академик РАН Г.Я. Красников - руководитель приоритетного технологического направления по электронным технологиям РФ, член Консультативного научного Совета Инновационного центра «Сколково», член НТС Военно-промышленной комиссии РФ, руководитель межведомственного Совета главных конструкторов по электронной компонентной базе РФ, член Межведомственного совета по присуждению премий Правительства в области науки и техники, член Комиссии по кадровым вопросам Совета при Президенте Российской Федерации по науке и образованию, председатель научного Совета РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания», председатель научного Совета при президиуме РАН "Квантовые технологии", член Совета РАН по исследованиям в области обороны, член Научно-координационного совета РАН по проблемам прогнозирования и стратегического планирования в Российской Федерации, член Межакадемического совета по проблемам развития Союзного государства, член наблюдательного Совета Новосибирского национального исследовательского государственного университета и Национального исследовательского университета «МИЭТ», почетный доктор Санкт-Петербургского национального исследовательского Академического университета Российской академии наук.
Г.Я. Красников возглавляет базовую кафедру «Микро- и наноэлектроники» в Московском физико-техническом институте (МФТИ) и базовую кафедру «Субмикронная технология СБИС» в Национальном исследовательском университете «МИЭТ», руководит подготовкой специалистов высшей квалификации по актуальным и перспективным направлениям нано- и микроэлектроники.
Академик РАН Г.Я. Красников - лауреат государственной премии РФ в области науки и технологии (2014), трех премий Правительства РФ в области науки и техники (1999, 2009, 2019). Награжден орденом Почёта (1999), орденом «За заслуги перед Отечеством» IV степени (2008), орденом Дружбы (2014), орденом Александра Невского (2018), медалью "В память 850-летия Москвы" (1997). Лауреат премии Миноборонпрома России за работы в области науки, техники и технологий, ордена «Знак Почета» Миноборонпрома России. Лауреат Государственной премии республики Мордовия за выдающийся вклад в развитие научно-инновационного потенциала республики Мордовия и плодотворное сотрудничество, ордена Славы III степени республики Мордовия, награжден медалью «За заслуги» республики Мордовия. Награжден медалью ЮНЕСКО «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий (2016). Отмечен личными благодарностями Президента РФ, председателя Правительства РФ, мэра Москвы, руководителей федеральных органов исполнительной власти, губернаторов ряда регионов РФ.
АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники» (НИИМЭ) - ведущий научно-исследовательский центр в составе электронного холдинга «Элемент» (АФК «Система»), резидент ОЭЗ «Технополис Москва». НИИМЭ ведет исследования и опытно-конструкторские работы в области микро- и наноэлектроники. В сфере научной деятельности института разработка семейств технологий с проектными нормами 180-90-65-28 нм для широкого спектра приложений: высокопроизводительной обработки данных, малого энергопотребления, обработки смешанных сигналов, оперативной и энергонезависимой памяти, технологий на базе интеграции гетеропереходных SiGe БТ и КМОП и др.
В НИИМЭ работают свыше 600 высококвалифицированных специалистов микроэлектронной отрасли, в том числе 4 Академика РАН, 1 член-корреспондент РАН, более 70 докторов и кандидатов наук. Институт на постоянной основе сотрудничает с более чем 60 российскими и зарубежными научными центрами, техническими университетами и центрами проектирования, ведет совместные работы по исследованиям и разработке технологий с институтами и организациями Российской академии наук.
В 2016 году распоряжением Правительства Российской Федерации АО «НИИМЭ» было определено организацией, ответственной за реализацию приоритетного технологического направления «Электронные технологии» РФ. В этом статусе НИИМЭ осуществляет координацию деятельности научных и производственных учреждений микроэлектронной отрасли РФ по разработке и применению отечественной элементной базы в электронных изделиях российского производства.
Комментарии читателей
