eng
Выпуск #4/2022
А. А. Никитин, К. О. Воропаев, А. А. Ершов, И. А. Рябцев, А. В. Кондрашов, М. В. Парфенов, А. А. Семенов, А. В. Шамрай, Е. И. Теруков, А. В. Петров, А. Б. Устинов
Исследование технологии осаждения пленок нитрида кремния для применения в фотонных интегральных схемах
Исследование технологии осаждения пленок нитрида кремния для применения в фотонных интегральных схемах
Просмотры: 608
DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2022.16.4.296.304
Статья посвящена технологии изготовления оптических микроволноводов из нитрида кремния. Для изготовления волноведущих структур использовались кремниевые подложки с подслоем оксида кремния. На поверхности оксида кремния наносились пленки нитрида кремния методами плазмохимического газофазного осаждения и газофазного осаждения при пониженном давлении. Толщины пленок нитрида кремния изменялась в пределах от 710 до 730 нм в зависимости от технологии газофазного осаждения. Для создания волноведущих структур использовалась фотолитография и плазмохимическое травление. Ширина волноведущих структур варьировалась от 1 до 5 мкм с шагом 500 нм. На поверхности структур осаждался покрывной слой оксида кремния. В работе проведено исследование потерь на длине волны 1,55 мкм в волноведущих структурах, изготовленных обоими методами газофазного осаждения. Приведено сравнение методов осаждения, в результате чего показано, что разработанный метод плазмохимического газофазного осаждения обеспечивает существенное уменьшение потерь в структурах по сравнению с методом газофазного осаждения при пониженном давлении.
Теги: lpcvd microwave photonics pecvd photonic integrated circuits silicon nitride нитрид кремния радиофотоника фотонные интегральные схемы
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Статья посвящена технологии изготовления оптических микроволноводов из нитрида кремния. Для изготовления волноведущих структур использовались кремниевые подложки с подслоем оксида кремния. На поверхности оксида кремния наносились пленки нитрида кремния методами плазмохимического газофазного осаждения и газофазного осаждения при пониженном давлении. Толщины пленок нитрида кремния изменялась в пределах от 710 до 730 нм в зависимости от технологии газофазного осаждения. Для создания волноведущих структур использовалась фотолитография и плазмохимическое травление. Ширина волноведущих структур варьировалась от 1 до 5 мкм с шагом 500 нм. На поверхности структур осаждался покрывной слой оксида кремния. В работе проведено исследование потерь на длине волны 1,55 мкм в волноведущих структурах, изготовленных обоими методами газофазного осаждения. Приведено сравнение методов осаждения, в результате чего показано, что разработанный метод плазмохимического газофазного осаждения обеспечивает существенное уменьшение потерь в структурах по сравнению с методом газофазного осаждения при пониженном давлении.
Теги: lpcvd microwave photonics pecvd photonic integrated circuits silicon nitride нитрид кремния радиофотоника фотонные интегральные схемы
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Отзывы читателей
