eng
Выпуск #5/2018
Н. В. Латухина, Д. А. Лизункова, Г. А. Рогожина, И. М. Жильцов, М. В. Степихова, В. И. Чепурнов
Многослойные наноструктуры на базе пористого кремния для оптоэлектроники
Многослойные наноструктуры на базе пористого кремния для оптоэлектроники
Просмотры: 2740
Проведена экспериментальная оценка возможности использовать структуры на основе пористого кремния для фотопреобразователей и светодиодов. Исследованы спектральные характеристики фоточувствительности структур с верхним слоем из пористого кремния и пористого карбида кремния (гетероструктуры nSiC / p-porSi), а также спектры фотолюминесценции структур с пористым кремнием, легированным эрбием (структуры porSi : Er).
DOI: 10.22184/1993-7296.2018.12.5.508.513
DOI: 10.22184/1993-7296.2018.12.5.508.513
Теги: luminescent structures nanocrystals photoconverters porous silicon solar cells. люминесцентные структуры нанокристаллы пористый кремний солнечные элементы фотопреобразователи
Проведена экспериментальная оценка возможности использовать структуры на основе пористого кремния для фотопреобразователей и светодиодов. Исследованы спектральные характеристики фоточувствительности структур с верхним слоем из пористого кремния и пористого карбида кремния (гетероструктуры nSiC / p-porSi), а также спектры фотолюминесценции структур с пористым кремнием, легированным эрбием (структуры porSi : Er).
1. ВВЕДЕНИЕ
Интерес к пористому кремнию как материалу оптоэлектроники связан в первую очередь с большой площадью его поверхности и наличием наноразмерных кристаллов в его порах. Эти особенности делают его перспективным материалом для использования как в фоточувствительных [1–4], так и в люминесцентных структурах [5–6]. Однако широкое применение пористого кремния в электронных устройствах сдерживается из-за сложности в управлении свойствами получаемого пористого слоя, особенно в возможности получить низкоомный материал. Чтобы сделать процесс создания пористого кремния хорошо воспроизводимым, в качестве исходной используют поверхность с заранее заданными центрами порообразования. Например, на текстурированной поверхности монокристаллического кремния, представляющей собой поверхность, заполненную правильными четырехгранными пирамидами, порообразование происходит главным образом в местах соприкосновения оснований пирамид. При этом, если использовать структуры с уже сформированным р-n-переходом, на вершинах пирамид и в их объеме сохраняется исходный тип и уровень легирования, так что образовавшаяся структура представляет собой матрицу микро-диодов на общей монокристаллической подложке, отделенных друг от друга высокоомными областями пористого кремния. Такие структуры являются более стабильными, имеют хорошие электрические свойства и могут быть использованы в различных приложениях как фоточувствительные или люминесцентные материалы [7–8].
В настоящее время наибольшей эффективности преобразования энергии солнечного света в электрическую энергию в кремниевых солнечных элементах (СЭ) (25.6% – для лабораторных образцов, 22% – промышленно выпускаемых) удалось добиться на основе гетероструктуры a-Si : H / c-Si. В такой структуре слой аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si : H) разных типов проводимости играет роль "широкозонного окна", так как ширина запрещенной зоны a-Si : H приблизительно составляет 1,7–1,9 эВ. Это превышает значение ширины запрещенной зоны для монокристаллического кремния (1,12 эВ) и расширяет спектр фоточувствительности СЭ в коротковолновую область солнечного спектра [9]. В данной работе в качестве "широкозонного окна" в фоточувствительных структурах использовался слой нанокристаллического пористого кремния и карбида кремния на текстурированной поверхности. Поскольку сама процедура создания микрорельефа приводит к увеличению скорости поверхностной рекомбинации, для снижения отрицательного эффекта можно использовать диэлектрическое покрытие из фторида редкоземельного элемента (РЗЭ), которое обладает просветляющими и пассивирующими свойствами на поверхности кремния [10–12]. Было показано, что структуры с пористым слоем, образованным на текстурированной поверхности, обладают заметно более высокими фотоэлектрическими характеристиками, чем структуры без пористого слоя, а использование покрытий из фторидов редкоземельных элементов позволяет уменьшить скорость поверхностной рекомбинации.
На базе окисленного нанокристаллического пористого кремния с внедренными в поры ионами РЗЭ возможно создание эффективных люминесцентных структур, интегрированных в кремниевую оптоэлектронику, что позволит повысить быстродействие, плотность записи информации, помехозащищенность и другие параметры электронных схем на кремниевой подложке. Такие структуры имеют хорошие люминесцентные свойства в ближней ИК-области спектра при комнатной температуре [13, 14].
2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
Для исследования спектральных характеристик полупроводниковых структур использовались образцы с пористым слоем, созданным на текстурированной поверхности монокристаллических пластин кремния. В фоточувствительных структурах для создания р-n-перехода проводилось легирование верхнего рабочего слоя фосфором, либо использовались пластины с заранее созданным р-n-переходом. Слой карбида кремния на фотоэлектрических структурах создавался методом химического транспорта в открытой системе твердофазных кремния и углерода газом – носителем водородом в зону эпитаксии с последующим осаждением на поверхность пористого кремния. Для создания люминесцентных структур пористый слой насыщался эрбием из водного раствора. Технология изготовления образцов описана в работах [3–5, 8, 10, 12, 13]. Структура и состав образцов исследовались с помощью электронного микроскопа Carl Zeiss EVO50 с детектором X–Max 80 микроэлементного анализа фирмы Oxford Instruments. Спектральные исследования фоточувствительности образцов ФЭП в видимой области спектра проводились с использованием монохроматора МДР‑3. Фоточувствительность R рассчитывалась как отношение фототока I к мощности падающего излучения Р:
R = I / P.
Люминесцентные исследования образцов в ближней ИК-области спектра проводились на Фурье-спектрометре высокого разрешения BOMEM DA‑3. Люминесценция возбуждалась излучением Ar-лазера с длиной волны 532 нм. Все измерения проводились при комнатной температуре.
3. РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
3.1. Морфология и состав образцов
Структура текстурированной поверхности образца nSiC / p-porSi представлена на рис. 1. Пористый кремний виден на стыках пирамид как область темного контраста, отдельные крупные поры диаметром более 200 нм видны как на стыках, так и на стенках пирамид.
Количественный анализ состава поверхности структуры nSiC / p-porSi показывает, что атомная доля углерода (55,61%) превышает атомную долю кремния (28,36%). Можно предположить, что помимо карбида кремния в порах присутствует углерод в виде нанонитей, что наблюдается в структурах, изготовленных по этой технологии [10].
На рис. 3 (а, b) приведены изображения поперечного скола структуры porSi: Er и рентгеновский флуоресцентный спектр выделенных областей. Анализ спектров показывает, что в области пористого слоя содержание эрбия составляет в среднем 0,07 ат.%.
3.2 Спектральные характеристики образцов
На рис. 4 и 5 приведены спектры коэффициентов отражения поверхностей с карбидизированным и не карбидизированным пористым слоем и фоточувствительности гетероструктур nSiC / p-porSi. Видно, что карбидизация незначительно увеличивает коэффициент отражения пористого слоя в области от 400 до 700 нм, при этом в области от 200 до 300 нм коэффициент отражения уменьшается. Спектральная чувствительность заметно увеличена в коротковолновой части спектра, что объясняется присутствием в пористом слое нанокристаллов кремния и карбида кремния.
На рис. 6 приведены спектры фотолюминесценции набора образцов, вырезанных из одной пластины, на которой была сформирована люминесцентная структура porSi : Er. На пластине локально создавался пористый слой различной толщины от 5 до 10 мкм. Эрбий внедрялся по всей поверхности пластины. Наиболее интенсивная фотолюминесценция с максимумом на длине волны 1,55 мкм (кривая 4В), соответствующим излучению иона Er3+, была зафиксирована на образце с наибольшей толщиной пористого слоя. Вне пористого слоя люминесценция практически отсутствует (кривая 5А). Это подтверждает предположение, что в пористом слое формируются наиболее благоприятные условия для возбуждения люминесценции ионов эрбия.
3. ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Проведенные исследования позволяют сделать вывод о перспективности использования пористого кремния для оптоэлектроники. Гетероструктура n-SiC / p-porSi c увеличенной фоточувствительностью в коротковолновой области солнечного спектра расширит спектр фоточувствительности ФЭП и следовательно увеличит его эффективность. Образцы структуры porSi : Er имеют хорошие люминесцентные характеристики с максимумом на длине волны 1,55 мкм при комнатной температуре и могут служить основой для создания ИК-светодиодов.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Adamian Z.N., Hakhoyan A. P., Aroutiounian V. M., Barseghian R. S., Touryan K. Investigations of solar cells with porous silicon as antirefection layer // Solar Energy Materials & Solar Cells,2000, v. 64, Issue 4, p. 347–351.
2. Hyukyong Kwon, Jaedoo Lee, Minjeong Kim, Soohong Lee. Investigation of antireflective porous silicon coating for solar cells // International Scholarly Research Network. ISRN Nanotechnology, v. 2011, Article ID716409, 4 pages.
3. Латухина, Н. В., Нечаев Н. А., Храмков В. А., Волков А. В., Агафонов А. Н. Структуры с макропористым кремнием для фотопреобразователей на кремниевой подложке // Тонкие пленки в оптике и наноэлектронике. Сб. докл. 18 Междyнар. симп. – Харьков, 2006, т. 2, с 207–211.
4. Latukhina N, Rogozin A, Puzyrnaya G, Lizunkova D, Gurtov A, Ivkov S. Efficient silicon solar cells for space and ground-based aircraft // Procedia Engineering,2015, v, 104, p.157–161.
5. Волков А.В., Латухина Н. В., Тимошенко В. Ю., Жигунов Д. М. Люминесценция систем на базе пористого кремния, легированного редкоземельными элементами // Тез. докл. VIII Междунар. конф. по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе "Кремний- 2011": – Москва: МИСиС, 2011, с. 169.
Volkov A.V., Latuhina N. V., Timoshenko V. Yu., Zhigunov D. M. Lyuminescenciya sistem na baze poristogo kremniya, legirovannogo redkozemel’nymi elementami // Tez. dokl. VIII Mezhdunar. konf. po aktual’nym problemam fiziki, materialo-vedeniya, tekhnologii i diagnostiki kremniya, nanometrovyh struktur i priborov na ego osnove "Kremnij- 2011": – Moskva: MISiS, 2011, p.169.
6. Берашевич Ю.А., Лазарук С. К., Борисенко В. Е. Электролюминесценция в пористом кремнии при обратном смещении барьера Шоттки // ФТП, 2006, т. 40, вып.2, с. 240–245.
Berashevich Yu.A., Lazaruk S. K., Borisenko V. E. Elektrolyuminescenciya v poris-tom kremnii pri obratnom smeshchenii bar’era Shottki // FTP, 2006, v.40, is.2, p. 240–245.
7. Латухина Н.В., Чепурнов В. И., Писаренко Г. А. Новые перспективы старых материалов: кремний и карбид кремния // Электроника НТБ, 2013, № 4 (00126), с. 104–110.
Latuhina N.V., Chepurnov V. I., Pisarenko G. A. Novye perspektivy staryh mate-rialov: kremnij i karbid kremniya // Elektronika NTB, 2013, № 4, (00126), p.104–110.
8. Латухина Н.В., Писаренко Г. А., Волков А. В., Китаева В. А. Фоточувствительная матрица на основе пористого микрокристаллического кремния // Вестник Самарского гос. университета. Естественнонаучная серия, 2011, № 5 (86), с.115–121.
Latuhina N.V., Pisarenko G. A., Volkov A. V., Kitaeva V. A. Fotochuvstvitel’naya matrica na osnove poristogo mikrokristallicheskogo kremniya // Vestnik Samar-skogo gos. universiteta. Estestvennonauchnaya seriya, 2011,№ 5 (86), p.115–121.
9. Street R. A. Hydrogen chemical potential and structure of a-Si: H // Phys. Rev. B, 1991, v. 43, p. 2454–2457.
10. Латухина Н. В., Рогожин, А. С., Саед, С., Чепурнов, В. И. Фоточувствительные гетероструктуры на основе пористого нанокристаллического кремния // Изв. ВУЗов. Мат-лы электрон. техники, 2014, В.4, с. 284–289.
Latuhina N. V., Rogozhin, A. S., Saed, S., Chepurnov, V. I. Fotochuvstvitel’nye geterostruktury na osnove poristogo nanokristallicheskogo kremniya // Izv. VU-Zov. Materialy elektronnoj tekhniki, 2014 , v.4, p.284–289.
11. Аношин, Ю. А. Просветляющие и пассивирующие свойства пленок оксидов и фторидов редкоземельных элементов / Ю. А. Аношин, А. И. Петров, В. А. Рожков, М. Б. Шалимова // Журнал технической физики, 1994, т. 64, № 10, с. 118–123.
Anoshin, Yu. A. Prosvetlyayushchie i passiviruyushchie svojstva plenok oksidov i ftoridov redkozemel’nyh elementov / Yu. A. Anoshin, A. I. Petrov, V. A. Rozh-kov, M. B. Shalimova // Zhurnal tekhnicheskoj fiziki, 1994, v. 64, № 10, p. 118–123.
12. Лизункова Д.А., Латухина Н. В., Рогожина Г. А., Няпшаев И. А., Емцев К. В. Спектральные характеристики фоточувствительных структур на базе пористого кремния с различными типами рабочей поверхности // XIV Всероссийский молодежный Самарский конкурс-конференция научныхработ по оптике и лазерной физике: сборник трудов конференции. Москва: Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, 2016, с. 95–100.
Lizunkova D.A., Latuhina N. V., Rogozhina G. A., Nyapshaev I. A., Emcev K. V. Spek-tral’nye harakteristiki fotochuvstvitel’nyh struktur na baze poristogo krem-niya s razlichnymi tipami rabochej poverhnosti // XIV Vserossijskij molodezh-nyj Samarskij konkurs-konferenciya nauchnyhrabot po optike i lazernoj fizi-ke: sbornik trudov konferencii. Moskva: p Fizicheskij institut im. P. N. Lebedeva Rossijskoj akademii nauk, 2016, p. 95–100.
13. Sokolov S.A, Rцsslhuber R, Zhigunov D.M, Latukhina N.V, Timoshenko V. Yu. Photoluminescence of Rare Earth Ions (Er3+, Yb3+) in a Porous Silicon Matrix // Thin Solid Films, 2014, v. 562, p. 462–466.
14. Filippov V.V, Pershukevich P. P., Kuznetsova V. V., Homenko V. S. Photoluminescence excitation properties of porous silicon with and without Er3+–Yb3+-containing complex // Journal of Luminescence, 2002, v. 99, Issue 3, p. 185–195.
1. ВВЕДЕНИЕ
Интерес к пористому кремнию как материалу оптоэлектроники связан в первую очередь с большой площадью его поверхности и наличием наноразмерных кристаллов в его порах. Эти особенности делают его перспективным материалом для использования как в фоточувствительных [1–4], так и в люминесцентных структурах [5–6]. Однако широкое применение пористого кремния в электронных устройствах сдерживается из-за сложности в управлении свойствами получаемого пористого слоя, особенно в возможности получить низкоомный материал. Чтобы сделать процесс создания пористого кремния хорошо воспроизводимым, в качестве исходной используют поверхность с заранее заданными центрами порообразования. Например, на текстурированной поверхности монокристаллического кремния, представляющей собой поверхность, заполненную правильными четырехгранными пирамидами, порообразование происходит главным образом в местах соприкосновения оснований пирамид. При этом, если использовать структуры с уже сформированным р-n-переходом, на вершинах пирамид и в их объеме сохраняется исходный тип и уровень легирования, так что образовавшаяся структура представляет собой матрицу микро-диодов на общей монокристаллической подложке, отделенных друг от друга высокоомными областями пористого кремния. Такие структуры являются более стабильными, имеют хорошие электрические свойства и могут быть использованы в различных приложениях как фоточувствительные или люминесцентные материалы [7–8].
В настоящее время наибольшей эффективности преобразования энергии солнечного света в электрическую энергию в кремниевых солнечных элементах (СЭ) (25.6% – для лабораторных образцов, 22% – промышленно выпускаемых) удалось добиться на основе гетероструктуры a-Si : H / c-Si. В такой структуре слой аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si : H) разных типов проводимости играет роль "широкозонного окна", так как ширина запрещенной зоны a-Si : H приблизительно составляет 1,7–1,9 эВ. Это превышает значение ширины запрещенной зоны для монокристаллического кремния (1,12 эВ) и расширяет спектр фоточувствительности СЭ в коротковолновую область солнечного спектра [9]. В данной работе в качестве "широкозонного окна" в фоточувствительных структурах использовался слой нанокристаллического пористого кремния и карбида кремния на текстурированной поверхности. Поскольку сама процедура создания микрорельефа приводит к увеличению скорости поверхностной рекомбинации, для снижения отрицательного эффекта можно использовать диэлектрическое покрытие из фторида редкоземельного элемента (РЗЭ), которое обладает просветляющими и пассивирующими свойствами на поверхности кремния [10–12]. Было показано, что структуры с пористым слоем, образованным на текстурированной поверхности, обладают заметно более высокими фотоэлектрическими характеристиками, чем структуры без пористого слоя, а использование покрытий из фторидов редкоземельных элементов позволяет уменьшить скорость поверхностной рекомбинации.
На базе окисленного нанокристаллического пористого кремния с внедренными в поры ионами РЗЭ возможно создание эффективных люминесцентных структур, интегрированных в кремниевую оптоэлектронику, что позволит повысить быстродействие, плотность записи информации, помехозащищенность и другие параметры электронных схем на кремниевой подложке. Такие структуры имеют хорошие люминесцентные свойства в ближней ИК-области спектра при комнатной температуре [13, 14].
2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
Для исследования спектральных характеристик полупроводниковых структур использовались образцы с пористым слоем, созданным на текстурированной поверхности монокристаллических пластин кремния. В фоточувствительных структурах для создания р-n-перехода проводилось легирование верхнего рабочего слоя фосфором, либо использовались пластины с заранее созданным р-n-переходом. Слой карбида кремния на фотоэлектрических структурах создавался методом химического транспорта в открытой системе твердофазных кремния и углерода газом – носителем водородом в зону эпитаксии с последующим осаждением на поверхность пористого кремния. Для создания люминесцентных структур пористый слой насыщался эрбием из водного раствора. Технология изготовления образцов описана в работах [3–5, 8, 10, 12, 13]. Структура и состав образцов исследовались с помощью электронного микроскопа Carl Zeiss EVO50 с детектором X–Max 80 микроэлементного анализа фирмы Oxford Instruments. Спектральные исследования фоточувствительности образцов ФЭП в видимой области спектра проводились с использованием монохроматора МДР‑3. Фоточувствительность R рассчитывалась как отношение фототока I к мощности падающего излучения Р:
R = I / P.
Люминесцентные исследования образцов в ближней ИК-области спектра проводились на Фурье-спектрометре высокого разрешения BOMEM DA‑3. Люминесценция возбуждалась излучением Ar-лазера с длиной волны 532 нм. Все измерения проводились при комнатной температуре.
3. РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
3.1. Морфология и состав образцов
Структура текстурированной поверхности образца nSiC / p-porSi представлена на рис. 1. Пористый кремний виден на стыках пирамид как область темного контраста, отдельные крупные поры диаметром более 200 нм видны как на стыках, так и на стенках пирамид.
Количественный анализ состава поверхности структуры nSiC / p-porSi показывает, что атомная доля углерода (55,61%) превышает атомную долю кремния (28,36%). Можно предположить, что помимо карбида кремния в порах присутствует углерод в виде нанонитей, что наблюдается в структурах, изготовленных по этой технологии [10].
На рис. 3 (а, b) приведены изображения поперечного скола структуры porSi: Er и рентгеновский флуоресцентный спектр выделенных областей. Анализ спектров показывает, что в области пористого слоя содержание эрбия составляет в среднем 0,07 ат.%.
3.2 Спектральные характеристики образцов
На рис. 4 и 5 приведены спектры коэффициентов отражения поверхностей с карбидизированным и не карбидизированным пористым слоем и фоточувствительности гетероструктур nSiC / p-porSi. Видно, что карбидизация незначительно увеличивает коэффициент отражения пористого слоя в области от 400 до 700 нм, при этом в области от 200 до 300 нм коэффициент отражения уменьшается. Спектральная чувствительность заметно увеличена в коротковолновой части спектра, что объясняется присутствием в пористом слое нанокристаллов кремния и карбида кремния.
На рис. 6 приведены спектры фотолюминесценции набора образцов, вырезанных из одной пластины, на которой была сформирована люминесцентная структура porSi : Er. На пластине локально создавался пористый слой различной толщины от 5 до 10 мкм. Эрбий внедрялся по всей поверхности пластины. Наиболее интенсивная фотолюминесценция с максимумом на длине волны 1,55 мкм (кривая 4В), соответствующим излучению иона Er3+, была зафиксирована на образце с наибольшей толщиной пористого слоя. Вне пористого слоя люминесценция практически отсутствует (кривая 5А). Это подтверждает предположение, что в пористом слое формируются наиболее благоприятные условия для возбуждения люминесценции ионов эрбия.
3. ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Проведенные исследования позволяют сделать вывод о перспективности использования пористого кремния для оптоэлектроники. Гетероструктура n-SiC / p-porSi c увеличенной фоточувствительностью в коротковолновой области солнечного спектра расширит спектр фоточувствительности ФЭП и следовательно увеличит его эффективность. Образцы структуры porSi : Er имеют хорошие люминесцентные характеристики с максимумом на длине волны 1,55 мкм при комнатной температуре и могут служить основой для создания ИК-светодиодов.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Adamian Z.N., Hakhoyan A. P., Aroutiounian V. M., Barseghian R. S., Touryan K. Investigations of solar cells with porous silicon as antirefection layer // Solar Energy Materials & Solar Cells,2000, v. 64, Issue 4, p. 347–351.
2. Hyukyong Kwon, Jaedoo Lee, Minjeong Kim, Soohong Lee. Investigation of antireflective porous silicon coating for solar cells // International Scholarly Research Network. ISRN Nanotechnology, v. 2011, Article ID716409, 4 pages.
3. Латухина, Н. В., Нечаев Н. А., Храмков В. А., Волков А. В., Агафонов А. Н. Структуры с макропористым кремнием для фотопреобразователей на кремниевой подложке // Тонкие пленки в оптике и наноэлектронике. Сб. докл. 18 Междyнар. симп. – Харьков, 2006, т. 2, с 207–211.
4. Latukhina N, Rogozin A, Puzyrnaya G, Lizunkova D, Gurtov A, Ivkov S. Efficient silicon solar cells for space and ground-based aircraft // Procedia Engineering,2015, v, 104, p.157–161.
5. Волков А.В., Латухина Н. В., Тимошенко В. Ю., Жигунов Д. М. Люминесценция систем на базе пористого кремния, легированного редкоземельными элементами // Тез. докл. VIII Междунар. конф. по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе "Кремний- 2011": – Москва: МИСиС, 2011, с. 169.
Volkov A.V., Latuhina N. V., Timoshenko V. Yu., Zhigunov D. M. Lyuminescenciya sistem na baze poristogo kremniya, legirovannogo redkozemel’nymi elementami // Tez. dokl. VIII Mezhdunar. konf. po aktual’nym problemam fiziki, materialo-vedeniya, tekhnologii i diagnostiki kremniya, nanometrovyh struktur i priborov na ego osnove "Kremnij- 2011": – Moskva: MISiS, 2011, p.169.
6. Берашевич Ю.А., Лазарук С. К., Борисенко В. Е. Электролюминесценция в пористом кремнии при обратном смещении барьера Шоттки // ФТП, 2006, т. 40, вып.2, с. 240–245.
Berashevich Yu.A., Lazaruk S. K., Borisenko V. E. Elektrolyuminescenciya v poris-tom kremnii pri obratnom smeshchenii bar’era Shottki // FTP, 2006, v.40, is.2, p. 240–245.
7. Латухина Н.В., Чепурнов В. И., Писаренко Г. А. Новые перспективы старых материалов: кремний и карбид кремния // Электроника НТБ, 2013, № 4 (00126), с. 104–110.
Latuhina N.V., Chepurnov V. I., Pisarenko G. A. Novye perspektivy staryh mate-rialov: kremnij i karbid kremniya // Elektronika NTB, 2013, № 4, (00126), p.104–110.
8. Латухина Н.В., Писаренко Г. А., Волков А. В., Китаева В. А. Фоточувствительная матрица на основе пористого микрокристаллического кремния // Вестник Самарского гос. университета. Естественнонаучная серия, 2011, № 5 (86), с.115–121.
Latuhina N.V., Pisarenko G. A., Volkov A. V., Kitaeva V. A. Fotochuvstvitel’naya matrica na osnove poristogo mikrokristallicheskogo kremniya // Vestnik Samar-skogo gos. universiteta. Estestvennonauchnaya seriya, 2011,№ 5 (86), p.115–121.
9. Street R. A. Hydrogen chemical potential and structure of a-Si: H // Phys. Rev. B, 1991, v. 43, p. 2454–2457.
10. Латухина Н. В., Рогожин, А. С., Саед, С., Чепурнов, В. И. Фоточувствительные гетероструктуры на основе пористого нанокристаллического кремния // Изв. ВУЗов. Мат-лы электрон. техники, 2014, В.4, с. 284–289.
Latuhina N. V., Rogozhin, A. S., Saed, S., Chepurnov, V. I. Fotochuvstvitel’nye geterostruktury na osnove poristogo nanokristallicheskogo kremniya // Izv. VU-Zov. Materialy elektronnoj tekhniki, 2014 , v.4, p.284–289.
11. Аношин, Ю. А. Просветляющие и пассивирующие свойства пленок оксидов и фторидов редкоземельных элементов / Ю. А. Аношин, А. И. Петров, В. А. Рожков, М. Б. Шалимова // Журнал технической физики, 1994, т. 64, № 10, с. 118–123.
Anoshin, Yu. A. Prosvetlyayushchie i passiviruyushchie svojstva plenok oksidov i ftoridov redkozemel’nyh elementov / Yu. A. Anoshin, A. I. Petrov, V. A. Rozh-kov, M. B. Shalimova // Zhurnal tekhnicheskoj fiziki, 1994, v. 64, № 10, p. 118–123.
12. Лизункова Д.А., Латухина Н. В., Рогожина Г. А., Няпшаев И. А., Емцев К. В. Спектральные характеристики фоточувствительных структур на базе пористого кремния с различными типами рабочей поверхности // XIV Всероссийский молодежный Самарский конкурс-конференция научныхработ по оптике и лазерной физике: сборник трудов конференции. Москва: Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, 2016, с. 95–100.
Lizunkova D.A., Latuhina N. V., Rogozhina G. A., Nyapshaev I. A., Emcev K. V. Spek-tral’nye harakteristiki fotochuvstvitel’nyh struktur na baze poristogo krem-niya s razlichnymi tipami rabochej poverhnosti // XIV Vserossijskij molodezh-nyj Samarskij konkurs-konferenciya nauchnyhrabot po optike i lazernoj fizi-ke: sbornik trudov konferencii. Moskva: p Fizicheskij institut im. P. N. Lebedeva Rossijskoj akademii nauk, 2016, p. 95–100.
13. Sokolov S.A, Rцsslhuber R, Zhigunov D.M, Latukhina N.V, Timoshenko V. Yu. Photoluminescence of Rare Earth Ions (Er3+, Yb3+) in a Porous Silicon Matrix // Thin Solid Films, 2014, v. 562, p. 462–466.
14. Filippov V.V, Pershukevich P. P., Kuznetsova V. V., Homenko V. S. Photoluminescence excitation properties of porous silicon with and without Er3+–Yb3+-containing complex // Journal of Luminescence, 2002, v. 99, Issue 3, p. 185–195.
Отзывы читателей
