Разработана установка для эффективной рекристаллизации нарушенного слоя поверхности кремниевой пластины после ионной имплантации для полупроводниковой индустрии. Установка реализует технологию лазерного отжига поверхностного слоя толщиной 1 мкм кремниевых пластин диаметром до 200 мм и применяется в технологическом процессе изготовления сильноточных IGBT-транзисторов.

DOI: 10.22184/1993-7296.2018.12.5.498.500

sitemap

Разработка: студия Green Art