DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2026.20.5.342.349
Работа посвящена исследованию лазерного отжига карбида кремния (SiC) для формирования омических контактов Ni/SiC. Цель работы состояла в подтверждении возможности формирования омических контактов методом лазерного отжига и определении диапазона технологических режимов, обеспечивающих линейную и симметричную вольт-­амперную характеристику (ВАХ) и низкое удельное контактное сопротивление. Для экспериментальной проверки были использованы структуры с различными межконтактными расстояниями. Оценку результатов проводили на основе анализа и классификации ВАХ с последующим применением метода передающей линии (TLM) для количественного определения параметров контакта. Экспериментальные результаты показали, что формирование контактов с омическим поведением достигается не в одном отдельном диапазоне режимов лазерной обработки, а в пределах нескольких различных диапазонов технологических параметров. Выделенные диапазоны могут служить основой для дальнейшей оптимизации процесса с учетом характеристик исходного материала, металлизации и геометрии контактных структур. Использование разработанного программного обеспечения и лазерной системы обеспечивает точное позиционирование и воспроизведение геометрии обрабатываемых областей, что позволяет проводить обработку серий тестовых структур и создает основу для дальнейшей разработки промышленной системы лазерного отжига.