Разработана технология изготовления оптического фотосмесителя К-диапазона частот (12–40 ГГц), совмещенного с антенной типа «закрученный диполь». Создан экспериментальный образец полупроводникового чипа фотосмесителя на основе выращенного при пониженной температуре методом молекулярно-­лучевой эпитаксии слоя арсенида галлия.