eng
Выпуск #8/2024
А. Э. Габдрахманов, Е. Н. Рыбачек, Е. М. Еганова, Д. В. Рязанцев, Н. В. Комарова, А. Е. Кузнецов
Формирование ячеек памяти захвата заряда на ловушках типа SONOS
Формирование ячеек памяти захвата заряда на ловушках типа SONOS
Просмотры: 1136
DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2024.18.8.598.607
В данной работе предложен процесс создания ячейки памяти типа SONOS с улучшенной
структурой в рамках КМОП маршрута по технологическим нормам 1,5 мкм
с возможностью интеграции в кремниевую фотонику. Полученная память обладает
напряжением записи 12 В и стирания –13 В. Скорость записи составляет 80 мс.
Окно памяти составляет более 3 В при рабочем окне в 2 В.
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
В данной работе предложен процесс создания ячейки памяти типа SONOS с улучшенной
структурой в рамках КМОП маршрута по технологическим нормам 1,5 мкм
с возможностью интеграции в кремниевую фотонику. Полученная память обладает
напряжением записи 12 В и стирания –13 В. Скорость записи составляет 80 мс.
Окно памяти составляет более 3 В при рабочем окне в 2 В.
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Отзывы читателей
