DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.5.372.377

Рассмотрена возможность использования кристаллов группы силленитов (Bi12SiO20, Bi12GeO20, Bi12TiO20) для регистрации излучения терагерцевого (ближнего инфракрасного) диапазона. Фоточувствительность для спектрального диапазона 3–30 мкм обеспечивается за счет использования мелких ловушечных уровней, находящихся вблизи дна зоны проводимости. Определены срезы кристалла, при котором могут быть использованы электрооптический и пьезоэлектрический эффекты для создания напряжения на поверхностных электродах. Электроды, выполненные в виде встречно-­штыревого преобразователя или спирали, дополняют устройство новыми функциональными возможностями.