eng
Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) "Фотоника 2015". Новосибирск
оссийская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) ФОТОНИКА 2015 продолжает серию конференций, которые проходили в Новосибирске в 2003, 2008 и 2011 годах.
Цель конференции - обсудить современное состояние работ, проблемы и дальнейшие пути развития в области фотоэлектроники на основе полупроводниковых соединений А3В5, А2В6 и элементарных полупроводников.
Предполагается участие специалистов, работающих в областях:
- экспериментального и теоретического исследования квантовых систем и квантовых эффектов, оптических и фотоэлектрических явлений, включая квантование плазменных колебаний в полупроводниковых наноструктурах;
- формирования структур на основе полупроводниковых нанокристаллов и металлических нанокластеров, используя современные эпитаксиальные методы роста различных кристаллических материалов и гетероструктур CdHgTe, PbSnTe, A3B5, включая A3-нитриды, Si/Ge и другие гетеропары, а также изготовления на их основе фотоприемников, светодиодов, лазеров, СВЧ – транзисторов, оптоэлектронных устройств и приборов мощной СВЧ электроники;
- преобразования излучения в полупроводниковых структурах в ультрафиолетовой, видимой, ИК и терагерцовой областях спектра; модификации спектра излучения и спектра пространственного излучения за счет конструкции микро- и наноразмерных оптических структур;
- взаимодействия оптического излучения и СВЧ радиочастотного сигнала в задачах приема, передачи и обработки информации;
- производства фотоэлектронных и оптоэлектронных систем.
Основные направления:
• методы и технологии получения наноструктурированных материалов для перспективных фотоприемников ИК-диапазона;
• фотоэлектрические явления в полупроводниковых структурах;
фотодетекторы ближнего и дальнего ИК-диапазонов на основе соединений А2В6 и А3В5, элементарных полупроводников и квантовых наноструктур (сверхрешетки, квантовые ямы, квантовые проволоки, квантовые точки);
• солнечные элементы, полупроводниковые преобразователи длинноволного излучения в коротковолновое излучение;
• полупроводниковые излучатели ближнего и дальнего ИК-диапазонов;
• терагерцовое излучение: полупроводниковые приемники и излучатели;
• физические основы элементной базы радиофотоники;
• приборы ночного видения: принципы построения, фотоэлектрические характеристики;
• новые направления в создании тепловизионных приборов, многоспектральные и комплексные устройства ночного видения.
Предполагается участие специалистов, работающих в областях:
- экспериментального и теоретического исследования квантовых систем и квантовых эффектов, оптических и фотоэлектрических явлений, включая квантование плазменных колебаний в полупроводниковых наноструктурах;
- формирования структур на основе полупроводниковых нанокристаллов и металлических нанокластеров, используя современные эпитаксиальные методы роста различных кристаллических материалов и гетероструктур CdHgTe, PbSnTe, A3B5, включая A3-нитриды, Si/Ge и другие гетеропары, а также изготовления на их основе фотоприемников, светодиодов, лазеров, СВЧ – транзисторов, оптоэлектронных устройств и приборов мощной СВЧ электроники;
- преобразования излучения в полупроводниковых структурах в ультрафиолетовой, видимой, ИК и терагерцовой областях спектра; модификации спектра излучения и спектра пространственного излучения за счет конструкции микро- и наноразмерных оптических структур;
- взаимодействия оптического излучения и СВЧ радиочастотного сигнала в задачах приема, передачи и обработки информации;
- производства фотоэлектронных и оптоэлектронных систем.
Основные направления:
• методы и технологии получения наноструктурированных материалов для перспективных фотоприемников ИК-диапазона;
• фотоэлектрические явления в полупроводниковых структурах;
фотодетекторы ближнего и дальнего ИК-диапазонов на основе соединений А2В6 и А3В5, элементарных полупроводников и квантовых наноструктур (сверхрешетки, квантовые ямы, квантовые проволоки, квантовые точки);
• солнечные элементы, полупроводниковые преобразователи длинноволного излучения в коротковолновое излучение;
• полупроводниковые излучатели ближнего и дальнего ИК-диапазонов;
• терагерцовое излучение: полупроводниковые приемники и излучатели;
• физические основы элементной базы радиофотоники;
• приборы ночного видения: принципы построения, фотоэлектрические характеристики;
• новые направления в создании тепловизионных приборов, многоспектральные и комплексные устройства ночного видения.
Комментарии читателей
